O objeto do presente procedimento é a escolha da proposta mais vantajosa para a  aquisição de componentes, acessórios e materiais para eletrônica e eletroeletrônica, destinados ao atendimento das atividades práticas desenvolvidas nos Laboratórios de Eletrônica Digital e Circuitos Elétricos da Unidade Acadêmica do Cabo de Santo Agostinho – UACSA/UFRPE   conforme condições, quantidades e exigências estabelecidas no Aviso de Contratação Direta Nº 43/2026 e seus anexos.

Transistor referência: 2n3904, encapsulamento: to-92, aplicação: práticas eletrônicas, tensão trabalho: vcbo 60v, vceo 40 Referência: 2n3904 Encapsulamento: To-92 Aplicação: Práticas Eletrônicas

Transistor referência 1: 2n3906, aplicação: práticas eletrônicas, número pinos: 3 Encapsulamento: To-92

Transistor referência: bc 547, aplicação: práticas eletrônicas, potência máxima: 500, corrente saída: 200, tensão trabalho: 45 Referência: Bc 547 Aplicação: Práticas Eletrônicas Encapsulamento: To-92 Potência Máxima: 500 MW Corrente Saída: 200 MA

Transistor referência 1: 2n2907, encapsulamento: to-92, aplicação: práticas eletrônicas, material: silício, tensão coletor-emissor base aberta-vce0: 40, corrente máxima de coletor (ic): 800, potência dissipação máxima (pd máxima): 40

Transistor referência 1: irf540, aplicação: práticas eletrônicas, tipo: mosfet Aplicação: Práticas Eletrônicas Encapsulamento: TO- 220++ Tipo: Mosfet Referência 1: IRF540

Transistor referência: irf 9540 Referência: IRF9540 Encapsulamento: TO-220 Tipo: Mosfet

Transistor encapsulamento: to-92, tipo: bf494, polaridade: npn, tensão coletor-emissor base aberta-vce0: 20, tensão coletor-base (vcb0): 30, corrente máxima de coletor (ic): 30, potência máxima: 300 Encapsulamento: To-92 Referência: BF494 Polaridade: Npn Aplicação: Práticas Eletrônicas

Transistor Potência tensão coletor-emissor base aberta-vce0: 600, corrente máxima de coletor (ic): 23, encapsulamento: to-247 ac, tipo: irg4pc3oud, potência de dissipação: 100, características adicionais: igbt Potência Encapsulamento: To-247 Ac REFERÊNCIA: Irg4pc3oud Potência De Dissipação: 100 W Características Adicionais: IGBT

Circuito Integrado referência: ne555n, quantidade pinos: 8, aplicação: eletrônica Referência: NE555n Quantidade Pinos: 8 UN Encapsulamento: DIP-8 Aplicação: Eletrônica